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交流中心圆满完成“第十一届氮化物半导体国际会议”承办工作

对外交流中心圆满完成“第十一届氮化物半导体国际会议”承办工作

    2015年8月30日至9月4日,第十一届氮化物半导体国际会议(The 11th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-11)在北京国际会议中心召开。本次会议由北京大学、AMMP国家重点实验室、ASIC国家重点实验室和微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主办,北京大学对外交流中心助力本次会议承办工作。

    作为全球氮化物半导体研究最重要、最前沿的研讨会,本届会议不但吸引了来自世界各国的近800名学者专家和青年学生,而且邀请到获得2014年诺贝尔物理学奖得主——天野浩和中村修二两位教授莅临本届会议并作报告。

    8月31日上午,大会开幕式在北京国际会议中心第一会议厅举行。开幕式上,第十一届氮化物半导体国际会议组委会主席、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义教授致辞,他对远道而来的研究者和青年学生致以热烈的欢迎,希望此次大会能够促进各国学者间的学术交流,助推跨国、跨领域的合作研究。接下来,诺贝尔物理学奖得主天野浩教授和中村修二教授,以及来自加利福尼亚大学的James Speck教授分别为大会做主旨报告。

张国义教授致辞

开幕式主旨报告

    随后为期4天的分组会议围绕“生长”、“基础物理”、“光学器件”、“电子器件”四个主题开展研讨,剑桥大学的Colin Humphreys教授、东京大学的Yasuhiko Arakawa教授、布伦瑞克工业大学的Andreas Waag等来自全世界知名大学的优秀学者为大会作口头报告。每场报告之后设有提问环节,现场学者与大会报告人互动频频,展现出了高水平的学术对话。

    本次大会还开设墙报展览,展览不仅为世界各地的学者提供了一个交流、互动的学术平台,也展示了氮化物半导体领域最前沿、最新锐的研究成果。

会议注册现场

分会场现场

会间墙报展

大会晚宴节目演出

大会闭幕式

    对外交流中心为本次会议的成功举办进行了近一年的会议筹备,其中包括官方网站系统的开发与维护、网上在线支付系统的搭建、与会代表注册信息的收集与处理、协助代表处理来华签证、会议手册和日程等相关内容的编排以及会场的安排与联络工作等。

    另外本届大会会期与世界田径锦标赛、纪念抗战暨世界反法西斯战争胜利70周年阅兵重合,这给本次会议物资运输、车辆调配、会间旅游等诸多方面带来了挑战。经过多方沟通、提前准备、密切配合、周密部署,对外交流中心为此次为期5天的会议提供了全方位的保障支撑,9月4日上午,第十一届氮化物半导体国际会议圆满落幕。

    背景链接:氮化物半导体国际会议自第一届在日本召开以来,曾先后在法国、美国、德国、韩国和英国等国家举办。氮化物半导体国际会议每两年举办一次,是III族氮化物半导体在光学材料和电子器件的应用科学和应用技术研究领域最重要、最前沿的国际学术会议,第十一届氮化物半导体国际会议为该系列会议第一次在中国召开。

 


 


 
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